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SI2328DS-T1-GE3
0.328
SI2328DS-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI2328DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
195 mΩ
功耗
1.25 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
730mW (Ta)

SI2328DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI2328DS-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.2 MByte

SI2328DST1 数据手册

VISHAY(威世)
N沟道100 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N沟道100 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2328DS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2328DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 195 mohm, 10 V, 4 V
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