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SI2337DS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-236

描述:

VISHAY SI2337DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -80 V, 0.216 ohm, -10 V, -4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2337DS-T1-GE3 数据手册 (10 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI2337DS-T1-GE3 数据手册 (10 页)

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SI2337DS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-236

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.216 Ω

极性

P-Channel

功耗

760 mW

漏源极电压(Vds)

-80.0 V

连续漏极电流(Ids)

-2.20 A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-50 ℃

耗散功率(Max)

2.5 W

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SI2337DS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI2337DS-T1-GE3 符合标准

SI2337DS-T1-GE3 海关信息

SI2337DS-T1-GE3 数据手册

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SI2337DS-T1-GE3 其他数据使用手册

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10 页 / 0.24 MByte

SI2337DS-T1-GE3 产品修订记录

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2 页 / 0.09 MByte

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