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SI3441BDV-T1-E3
0.22
SI3441BDV-T1-E3 数据手册 (2 页)
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SI3441BDV-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
TSOT-23-6
漏源极电阻
0.13 Ω
功耗
0.86 W
漏源极电压(Vds)
20 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
860mW (Ta)

SI3441BDV-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
3.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI3441BDV-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix
2 页 / 0.05 MByte
Vishay Siliconix
6 页 / 0.1 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.12 MByte

SI3441BDVT1 数据手册

VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI3441BDV-T1-GE3  晶体管, P沟道
VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
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