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SI3443DV
0.16
SI3443DV 数据手册 (7 页)
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SI3443DV 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
TSOT-23-6
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.054 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.6 W
漏源极电压(Vds)
20 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
-4.00 A
上升时间
19 ns
输入电容值(Ciss)
640pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
800 mW
下降时间
35 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.6W (Ta)

SI3443DV 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI3443DV 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.2 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.86 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

SI3443 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SI3443DV  晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -700 mV
VISHAY(威世)
单 P沟道 20 V 0.06 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TSOP-6
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -700 mV
VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SI3443DVTRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 4.4 A, -20 V, 0.034 ohm, 4.5 V, -1.2 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI3443CDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.97 A, -20 V, 50 mohm, -4.5 V, -600 mV
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