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Datasheet 搜索 > 晶体管 > VISHAY(威世) > SI3456CDV-T1-GE3 Datasheet 文档
SI3456CDV-T1-GE3
0.79

SI3456CDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TSOP
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
6.1A

SI3456CDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI3456CDV-T1-GE3 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 0.21 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.18 MByte

SI3456CDVT1 数据手册

VISHAY(威世)
N沟道30-V(D-S)的MOSFET功率MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
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