SI3473DV-T1-GE3

￥ 0.703

SI3473DV-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI3473DV-T1-GE3 数据手册 (10 页)

2 技术参数、封装参数

3

4

5

或点击图片查看大图

SI3473DV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

极性

P-Channel

功耗

1.1W (Ta)

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

-5.90 A

耗散功率(Max)

1.1W (Ta)

SI3473DV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI3473DV-T1-GE3 符合标准

SI3473DV-T1-GE3 概述

SI3473DV-T1-GE3 数据手册

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10 页 / 0.19 MByte

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