器件3D模型

￥ 0.328

SI4010DY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4010DY-T1-GE3 数据手册 (156 页)

引脚图在1 页 18 页 109 页Hot

封装尺寸在22 页 23 页

典型应用电路图在14 页 110 页 156 页

原理图在2 页 12 页 13 页 14 页 33 页 36 页 50 页 55 页 117 页 123 页 128 页 133 页 134 页

SI4010DY-T1-GE3 数据手册 (156 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI4010DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOIC-8

漏源极电阻

3.4 mΩ

极性

N-CH

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

31.3A

查看数据手册 >

SI4010DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

最小包装数量

2500

查看数据手册 >

SI4010DY-T1-GE3 符合标准

SI4010DY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

156 页 / 3.04 MByte

SI4010DY-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

10 页 / 0.17 MByte

SI4010DYT1 数据手册

SI4010DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

SI4010DY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号