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SI4410BDY-T1-E3
器件3D模型
0.319
SI4410BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI4410BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO-8
漏源极电阻
0.02 Ω
功耗
1.4 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.4W (Ta)

SI4410BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI4410BDY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix
6 页 / 0.07 MByte
Vishay Siliconix
10 页 / 0.22 MByte

SI4410BDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4410BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷
VISHAY(威世)
SI4410BDY-T1-GE3 编带
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4410BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 10A, 30V, 2.5W
Vishay Intertechnology
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