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SI4420DY
器件3D模型
1
SI4420DY 数据手册 (8 页)
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SI4420DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO-8
漏源极电阻
9.00 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.5 A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
2180pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

SI4420DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4420DY 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.38 MByte

SI4420 数据手册

Silicon Labs(芯科)
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Infineon(英飞凌)
MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  SI4420DYPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 30V, 12.5A, SOIC
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4420BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8
Silicon Labs(芯科)
射频收发器 Sub-GHz transceiver
Fairchild(飞兆/仙童)
单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrencha Single N-Channel Logic Level PowerTrencha MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
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