器件3D模型

￥ 1.382

SI4421DY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.007 ohm, -4.5 V, -800 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4421DY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在6 页 7 页

SI4421DY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SI4421DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.007 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

-20.0 V

连续漏极电流(Ids)

-14.0 A

上升时间

90 ns

下降时间

170 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

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SI4421DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

2500

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SI4421DY-T1-GE3 符合标准

SI4421DY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.21 MByte

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