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SI4421DY-T1-GE3
器件3D模型
1.32
SI4421DY-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI4421DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
漏源极电阻
13.5 mΩ
功耗
1.5W (Ta)
漏源极电压(Vds)
20 V
耗散功率(Max)
1.5W (Ta)

SI4421DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4421DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.15 MByte

SI4421DYT1 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
SI4421DY-T1-E3 编带
VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.007 ohm, -4.5 V, -800 mV
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4421DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.007 ohm, -4.5 V, -800 mV 新
Vishay Semiconductor(威世)
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