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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4463BDY-T1-E3 Datasheet 文档
SI4463BDY-T1-E3
器件3D模型
2.464
SI4463BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)
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SI4463BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
漏源极电阻
0.02 Ω
功耗
1.5 W
漏源极电压(Vds)
20 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.5W (Ta)

SI4463BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
5 mm
高度
1.55 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI4463BDY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix
6 页 / 0.07 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 0.15 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.12 MByte

SI4463BDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4463BDY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 9.8 A, -20 V, 0.0085 ohm, 12 V, -1.4 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4463BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 13.7A, SOIC
VISHAY(威世)
Vishay Intertechnology
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