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SI4463DY
器件3D模型
0.244
SI4463DY 数据手册 (3 页)
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SI4463DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO
漏源极电阻
10.0 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2.50 W
栅源击穿电压
±12.0 V

SI4463DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI4463DY 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.08 MByte

SI4463 数据手册

VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
Silicon Labs(芯科)
射频收发器 TXRX SubG +13/-116dBm
Silicon Labs(芯科)
SI4463-B1B-FMR 编带
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS  SI4463-B1B-FM  芯片, 射频收发器, 119MHZ-1.05GHZ, QFN-20
Silicon Labs(芯科)
EZRadioPRO® Sub-1GHz 无线发射器/接收器/收发器**EZRadioPRO**® 系列高度集成、柔性无线射频发射器、接收器和收发器可在 EZRadio ® 系列设备上提供增强的参数和功能。 这些 IC 设计用于更精密的 ISM 频段应用,支持 IEEE 802.15.4g 和无线 M-Bus 操作。 根据设备,频率覆盖范围为 119MHz 至 1050MHz,输出功率高达 +20 dBm,接收器灵敏度降至 -133dBm。 其他特征包括唤醒计时器、低电池电量探测器、传输和接收数据 FIFO 缓冲器、通电重置电路和通用数字输入/输出。 全部装在 QFN20 封装中。**RS 产品代码** 759-6472 Si4032-B1-FM 发射器,240-930MHz,+20dBm,FSK 819-6893 Si4060-B1B-FM 发射器,142-1050MHz,+13dBm,FSK 819-6900 Si4063-B1B-FM 发射器,142-1050MHz,+20dBm,FSK 759-6498 Si4330-B1-FM 接收器,240-960MHz,-121dBm,FSK 819-6913 Si4362-B1B-FM 接收器,142-1050MHz,-126dBm,FSK 759-6501 Si4431-B1-FM 收发器,240-930MHz,+13dBm,-121dBm,FSK 759-6505 Si4432-B1-FM 收发器,240-930MHz,+20dBm,-121dBm,FSK 819-6929 Si4438-B1C-FM 收发器,425-525MHz,+20dBm,-124dBm,FSK 865-9843 Si4438-C2A-GM 收发器,425-525MHz,+20dBm,-124dBm,FSK 865-9852 Si4455-C2A-GM 收发器,284-960MHz,+13dBm,-116dBm,FSK 819-6922 Si4460-B1B-FM 收发器,142-1050MHz,+13dBm,-126dBm,FSK 865-9855 Si4460-C2A-GM 收发器,142-1050MHz,+13dBm,-126dBm,FSK 819-6938 Si4461-B1B-FM 收发器,142-1050MHz,+16dBm,-126dBm,FSK 865-9859 Si4461-C2A-GM 收发器,142-1050MHz,+16dBm,-126dBm,FSK 819-6950 Si4463-B1B-FM 收发器,142-1050MHz,+20dBm,-126dBm,FSK 865-9868 Si4463-C2A-GM 收发器,142-1050MHz,+20dBm,-126dBm,FSK 819-6979 Si4464-B1B-FM 收发器,119-1050MHz,+20dBm,-126dBm,FSK 865-9861 Si4467-A2A-IM 收发器,142-1050MHz,+13dBm,-133dBm,FSK 865-9865 Si4468-A2A-IM 收发器,142-1050MHz,+20dBm,-133dBm,FSK ### 单芯片组件,Silicon Laboratories
VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4463CDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
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