器件3D模型

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SI4463BDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

VISHAY SI4463BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 13.7A, SOIC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4463BDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在6 页 7 页

SI4463BDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SI4463BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.02 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

-20.0 V

连续漏极电流(Ids)

13.7 A

工作温度(Max)

150 ℃

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SI4463BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SI4463BDY-T1-GE3 符合标准

SI4463BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.22 MByte

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