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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4463CDY-T1-GE3 Datasheet 文档
SI4463CDY-T1-GE3
器件3D模型
0.4
SI4463CDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)
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SI4463CDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO-8
漏源极电阻
0.006 Ω
功耗
5 W
漏源极电压(Vds)
20 V
输入电容值(Ciss)
4250pF @15V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.7W (Ta), 5W (Tc)

SI4463CDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4463CDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
10 页 / 0.16 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.16 MByte

SI4463CDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4463CDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
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