器件3D模型

￥ 4.012

SI4464DY-T1-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4464DY-T1-E3 数据手册 (2 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI4464DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

漏源极电阻

0.26 Ω

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.5W (Ta)

查看数据手册 >

SI4464DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

SI4464DY-T1-E3 符合标准

SI4464DY-T1-E3 概述

SI4464DY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

2 页 / 0.05 MByte

SI4464DY-T1-E3 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

8 页 / 0.15 MByte

SI4464DY-T1-E3 其他参考文件

Vishay Siliconix

1 页 / 0.12 MByte

SI4464DYT1 数据手册

SI4464DY-T1 数据手册

VISHAY（威世）

SI4464DY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

SI4464DY-T1-E3 编带

SI4464DY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

SI4464DY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4464DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4464DY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

SI4464DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

SI4464DY-T1-E3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号