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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4532ADY-T1-E3 Datasheet 文档
SI4532ADY-T1-E3
器件3D模型
0.325

SI4532ADY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
漏源极电阻
0.053 Ω
漏源极电压(Vds)
30 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI4532ADY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
5 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4532ADY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix
10 页 / 0.17 MByte
Vishay Siliconix
12 页 / 0.24 MByte

SI4532ADYT1 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
双 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4532ADY-T1-GE3  场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道
VISHAY(威世)
Vishay Intertechnology
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