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SI4532DY
器件3D模型
1
SI4532DY 数据手册 (2 页)
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SI4532DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
3.90 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
53 mΩ
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
±30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.90 A
输入电容值(Ciss)
235pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

SI4532DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4532DY 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.19 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.86 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

SI4532 数据手册

VISHAY(威世)
N和P沟道30 V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
双 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SI4532DY  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.9 A, 30 V, 53 mohm, 10 V, 3 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4532CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4532DY, 3.5 A,3.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Vishay Siliconix
VISHAY SILICONIX  SI4532CDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, NP-通道, 30V, 6/-4.3A, SOIC-8
Vishay Semiconductor(威世)
N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4532ADY-T1-GE3  场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道
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