Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4688DY-T1-GE3 Datasheet 文档
SI4688DY-T1-GE3
器件3D模型
0.01

SI4688DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
极性
N-Channel
功耗
1.4W (Ta)
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
12.0 A
输入电容值(Ciss)
1580pF @15V(Vds)
耗散功率(Max)
1.4W (Ta)

SI4688DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4688DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
6 页 / 0.09 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.23 MByte

SI4688DYT1 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: SI4688 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z