器件3D模型

￥ 0.117

SI4800BDY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

N沟道减少的Qg ，快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4800BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)

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SI4800BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2.5 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

18.5 mΩ

极性

N-Channel

功耗

800 mW

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

上升时间

12 ns

额定功率(Max)

1.3 W

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1300 mW

查看数据手册 >

SI4800BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2500

查看数据手册 >

SI4800BDY-T1-E3 符合标准

SI4800BDY-T1-E3 概述

SI4800BDY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.09 MByte

SI4800BDY-T1-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

12 页 / 0.18 MByte

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