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SI4816DY-T1-GE3
器件3D模型
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SI4816DY-T1-GE3 数据手册 (9 页)
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SI4816DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
漏源极电压(Vds)
30 V

SI4816DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4816DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.13 MByte

SI4816DYT1 数据手册

Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
双N通道30 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Vishay Semiconductor(威世)
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