器件3D模型

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SI4816DY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

描述:

双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI4816DY-T1-E3 数据手册 (9 页)

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SI4816DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

漏源极电阻

22.0 mΩ

极性

Dual N-Channel

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

30.0 V

栅源击穿电压

20.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.30 A

SI4816DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

SI4816DY-T1-E3 符合标准

SI4816DY-T1-E3 数据手册

SI4816DY-T1-E3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

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