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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4840BDY-T1-GE3 Datasheet 文档
SI4840BDY-T1-GE3
器件3D模型
0.792
SI4840BDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)
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SI4840BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SO-8
功耗
2.5W (Ta), 6W (Tc)
输入电容值(Ciss)
2000pF @20V(Vds)
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 6W (Tc)

SI4840BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4840BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
10 页 / 0.23 MByte
Vishay Siliconix
10 页 / 0.23 MByte
Vishay Siliconix
6 页 / 0.24 MByte

SI4840BDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
N通道40 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N通道40 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4840BDY-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 1 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4840BDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 3 V
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Vishay Semiconductor(威世)
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