器件3D模型

￥ 0.705

SI4850EY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

N沟道减少的Qg ，快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4850EY-T1-GE3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在5 页 6 页

SI4850EY-T1-GE3 数据手册 (8 页)

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SI4850EY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

18 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3.3 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

上升时间

10 ns

额定功率(Max)

1.7 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.3 W

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SI4850EY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

最小包装数量

2500

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SI4850EY-T1-GE3 符合标准

SI4850EY-T1-GE3 概述

SI4850EY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.24 MByte

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