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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4850EY-T1-GE3 Datasheet 文档
SI4850EY-T1-GE3
器件3D模型
0.798
SI4850EY-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI4850EY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SO-8
功耗
3.3 W
上升时间
10 ns
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.7W (Ta)

SI4850EY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

SI4850EY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.24 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 0.17 MByte

SI4850EYT1 数据手册

Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道减少的Qg ,快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
VISHAY(威世)
N沟道减少的Qg ,快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
N沟道减少的Qg ,快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4850EY-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 V
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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