SI4892DY-T1-E3

器件3D模型

￥ 0.3

SI4892DY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOP-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4892DY-T1-E3 数据手册 (5 页)

SI4892DY-T1-E3 数据手册 (5 页)

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SI4892DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOP-8

漏源极电阻

20.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3.10 W

漏源极电压(Vds)

30 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

8.80 A

上升时间

11 ns

额定功率(Max)

1.6 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3100 mW

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SI4892DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI4892DY-T1-E3 符合标准

SI4892DY-T1-E3 数据手册

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VISHAY（威世）

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VISHAY（威世）

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