器件3D模型

￥ 0

SI4920DY-T1 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SOIC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4920DY-T1 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI4920DY-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

6.9A

上升时间

10 ns

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

查看数据手册 >

SI4920DY-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

查看数据手册 >

SI4920DY-T1 符合标准

SI4920DY-T1 数据手册

VISHAY（威世）

5 页 / 0.08 MByte

SI4920DY-T1 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.17 MByte

SI4920 数据手册

SI4920DY 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

双N沟道逻辑电平， PowerTrench MOSFET的 Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

SI4920DY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4920DY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

SI4920DY 数据手册

Vishay Siliconix

SI4920DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4920DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI4920DY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 6.9A, 整卷

SI4920DY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

SI4920DY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

SI4920DY-T1 数据手册

Vishay Siliconix

SI4920DY-T1 数据手册

VISHAY（威世）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号