器件3D模型

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SI4920DY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SOIC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4920DY-T1-GE3 数据手册 (5 页)

SI4920DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

6.9A

上升时间

10 ns

额定功率(Max)

2 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

查看数据手册 >

SI4920DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI4920DY-T1-GE3 符合标准

SI4920DY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

5 页 / 0.08 MByte

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