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SI7850DP-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPAKSO-8

描述:

VISHAY SI7850DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.3 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI7850DP-T1-E3 数据手册 (11 页)

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SI7850DP-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAKSO-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.018 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.8 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

10.3 A

上升时间

10 ns

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.8 W

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SI7850DP-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

4.9 mm

宽度

5.89 mm

高度

1.04 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI7850DP-T1-E3 符合标准

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