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SI7850DP-T1-E3
0.421
SI7850DP-T1-E3 数据手册 (11 页)
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SI7850DP-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerPAKSO-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.018 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.8 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
10.3 A
上升时间
10 ns
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.8 W

SI7850DP-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
4.9 mm
宽度
5.89 mm
高度
1.04 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI7850DP-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
11 页 / 0.3 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
11 页 / 0.3 MByte

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