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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI7850DP-T1-GE3 Datasheet 文档
SI7850DP-T1-GE3
器件3D模型
1.065

SI7850DP-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SO-8
功耗
1.8W (Ta)
漏源极电压(Vds)
60 V
耗散功率(Max)
1.8W (Ta)

SI7850DP-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI7850DP-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
12 页 / 0.35 MByte
Vishay Siliconix
11 页 / 0.3 MByte

SI7850DPT1 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
N通道60 -V (D -S )快速开关MOSFET N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7850DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.3 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 3 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI7850DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 60V, 10.3A, SOIC, 整卷
Vishay Semiconductor(威世)
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