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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI9407BDY-T1-GE3 Datasheet 文档
SI9407BDY-T1-GE3
器件3D模型
0.509
SI9407BDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)
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SI9407BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO-8
漏源极电阻
0.15 Ω
功耗
5 W
输入电容值(Ciss)
600pF @30V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.4W (Ta), 5W (Tc)

SI9407BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
5 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI9407BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
10 页 / 0.24 MByte
Vishay Siliconix
10 页 / 0.24 MByte

SI9407BDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
-60V,-4.7A,P沟道功率MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9407BDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
Vishay Semiconductor(威世)
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