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TSAL6200-ESZ
器件3D模型
0.076
TSAL6200-ESZ 数据手册 (5 页)
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TSAL6200-ESZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
封装
T-1
峰值波长
940 nm
功耗
160 mW
测试电流
100 mA
正向电压(Max)
3 V
正向电流(Max)
100 mA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
160 mW

TSAL6200-ESZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

TSAL6200-ESZ 数据手册

VISHAY(威世)
5 页 / 0.09 MByte

TSAL6200 数据手册

VISHAY(威世)
高功率红外发光二极管,符合RoHS , 940纳米,砷化镓铝/砷化镓 High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  TSAL6200  红外发射器, 高功率, 17 °, T-1 3/4 (5mm), 100 mA, 1.6 V, 15 ns, 15 ns
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
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