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SI9945AEY-T1
器件3D模型
0.717
SI9945AEY-T1 数据手册 (5 页)
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SI9945AEY-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
漏源极电压(Vds)
60 V
额定功率(Max)
2.4 W

SI9945AEY-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

SI9945AEY-T1 数据手册

Vishay Siliconix
5 页 / 0.09 MByte
Vishay Siliconix
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SI9945 数据手册

VISHAY(威世)
双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI9945BDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.3 A, 60 V, 46 mohm, 10 V, 2.5 V
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
Fairchild(飞兆/仙童)
双N沟道增强型MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
双N通道60 -V (D -S ) , 175 2 C MOSFET Dual N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
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