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BAS86-GS18
器件3D模型
0.042
BAS86-GS18 数据手册 (4 页)
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BAS86-GS18 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
2 Pin
封装
SOD-80
正向电压
0.9V @0.1A
反向恢复时间
5 ns
最大反向电压(Vrrm)
50 V
正向电流
0.2 A
最大反向漏电流
5 uA at 40 V
正向电压(Max)
900mV @100mA
正向电流(Max)
0.2 A
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
125℃ (Max)
耗散功率(Max)
200 mW

BAS86-GS18 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
最小包装数量
10000

BAS86-GS18 数据手册

VISHAY(威世)
4 页 / 0.06 MByte

BAS86 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  BAS86  小信号肖特基二极管, 单, 50 V, 200 mA, 900 mV, 500 mA, 125 °C
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
Good-Ark Electronics(固锝)
Vishay Semiconductor(威世)
小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky Diode
Rectron Semiconductor
Yageo(国巨)
General Instrument
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