器件3D模型

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SI9945DY 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

描述:

双N沟道增强型MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI9945DY 数据手册 (3 页)

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SI9945DY 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

通道数

2 Channel

漏源极电阻

76 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.30 A

上升时间

7.5 ns

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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SI9945DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

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SI9945DY 符合标准

SI9945DY 海关信息

SI9945DY 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

3 页 / 0.18 MByte

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