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SIS412DN-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPak-1212-8

描述:

N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SIS412DN-T1-GE3 数据手册 (13 页)

封装尺寸在7 页 8 页 9 页

SIS412DN-T1-GE3 数据手册 (13 页)

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SIS412DN-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerPak-1212-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.02 Ω

极性

N-Channel

功耗

15.6 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

12A

输入电容值(Ciss)

435pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

15.6 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.2W (Ta), 15.6W (Tc)

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SIS412DN-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

3000

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SIS412DN-T1-GE3 符合标准

SIS412DN-T1-GE3 海关信息

SIS412DN-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

13 页 / 0.51 MByte

SIS412DN-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

13 页 / 0.55 MByte

SIS412DN-T1-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

3 页 / 0.08 MByte

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