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SK3050CD2 数据手册 - Diotec Semiconductor
制造商:
Diotec Semiconductor
封装:
D2PAK-263
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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SK3050CD2数据手册
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SK3020CD2 ... SK30100CD2
SK3020CD2 ... SK30100CD2
Surface Mount Schottky Rectifier Diodes– Common Cathode
Schottky-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage – Gemeinsame Kathode
Version 2013-09-25
Dimensions - Maße [mm]
Nominal Current
Nennstrom
30 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
20...100 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-263
D2PAK
Weight approx. – Gewicht ca. 1.6 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes Green Molding
Standard Lieferform in Stangen Halogen-Free
1
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V] T
j
= 25°C
2
)
I
F
= 5 A I
F
= 15 A
SK3020CD2 20 20 < 0.49 < 0.55
SK3030CD2 30 30 < 0.49 < 0.55
SK3040CD2 40 40 < 0.49 < 0.55
SK3045CD2 45 45 < 0.49 < 0.55
SK3050CD2 50 50 < 0.63 < 0.70
SK3060CD2 60 60 < 0.63 < 0.70
SK3080CD2 80 80 < 0.77 < 0.85
SK30100CD2 100 100 < 0.77 < 0.85
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
C
= 100°C I
FAV
I
FAV
15 A
3
)
30 A
3
)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz I
FRM
55 A
3
)
Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SK3020 ... 60CD2
SK3080 ... 100CD2
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FSM
I
FSM
280/320 A
3
)
240/270 A
3
)
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms T
A
= 25°C i
2
t 390 A
2
s
3
)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
T
j
T
j
-50...+150°C
≤ 200°C
4
)
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
-50...+175°C
Leakage current - Sperrstrom T
j
= 25°C V
R
= V
RRM
I
R
< 500 µA
2
)
Thermal resistance junction to case - Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse R
thC
< 1.5 K/W
3
)
1 From 2H/2013 – Ab 2H/2013
2 Per diode – Pro Diode
3 Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
4 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Solar Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Solar Bypass Diodes”
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
1
2
3
4
0.4
4.5
0.2±
1.2
5.08
0.8
1.3
1
Type
Typ
32
4
10.25
±0. 5
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