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SM6T6V8CAY
0.158
SM6T6V8CAY 数据手册 (15 页)
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SM6T6V8CAY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
封装
DO-214AA
电路数
1 Circuit
针脚数
2 Position
功耗
600 W
钳位电压
13.4 V
最大反向电压(Vrrm)
5.8V
测试电流
10 mA
最大反向击穿电压
7.1 V
脉冲峰值功率
600 W
最小反向击穿电压
6.45 V
击穿电压
6.45 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
-55℃ ~ 150℃

SM6T6V8CAY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
4.6 mm
宽度
3.95 mm
高度
2.45 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SM6T6V8CAY 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.64 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.14 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

SM6T6V8 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  SM6T6V8A  TVS二极管, TVS, Transil SM6T系列, 单向, 5.8 V, 13.4 V, DO-214AA, 2 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
Transil™ TVS SMT 双向 600W,SM6T 系列,STMicroelectronics ### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics
VISHAY(威世)
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA (SMBJ) 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  SM6T6V8AY  TVS二极管, AEC-Q342, Transil SM6T系列, 单向, 5.8 V, 13.4 V, DO-214AA, 2 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  SM6T6V8CAY  TVS二极管, AEC-Q343, Transil SM6T系列, 双向, 5.8 V, 13.4 V, DO-214AA, 2 引脚
VISHAY(威世)
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W,SM6T 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA (SMBJ) 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器表面安装单向 600W,SM6T 系列,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
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