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器件3D模型
¥ 0.041
SMUN5111T1G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
双极性晶体管
封装:
SC-70-3
描述:
数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 10千? Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k
Pictures:
3D模型
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焊盘图
引脚图
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SMUN5111T1G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SC-70-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
PNP
功耗
0.31 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
35 @5mA, 10V
额定功率(Max)
202 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310 mW
查看数据手册 >
SMUN5111T1G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
查看数据手册 >
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SMUN5111T1G 海关信息
SMUN5111T1G 数据手册
SMUN5111T1G
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其他数据使用手册
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.36 MByte
SMUN5111T1G
产品修订记录
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.04 MByte
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SMUN5111T1
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
SMUN5111T1
G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 10千? Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k
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