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SN74LVC1G07DCKR
器件3D模型
0.046
SN74LVC1G07DCKR 数据手册 (38 页)
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SN74LVC1G07DCKR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
电源电压
5.00 V, 5.50 V (max)
封装
SC-70-5
输出接口数
1 Output
供电电流
40.0 mA
通道数
1 Channel
针脚数
5 Position
位数
1 Bit
传送延迟时间
3.50 ns
电压波节
5.00 V
逻辑门数量
1 Gate
输入数
1 Input
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
1.65V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
1.65 V

SN74LVC1G07DCKR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)

SN74LVC1G07DCKR 数据手册

TI(德州仪器)
38 页 / 1.74 MByte
TI(德州仪器)
34 页 / 1.38 MByte
TI(德州仪器)
8 页 / 0.2 MByte

SN74LVC1G07 数据手册

TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC1G07DCKR.  芯片, 非反相缓冲器, 漏极开路, SC-70-5
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC1G07DBVR.  芯片, 缓冲器 非反相, SOT-23-5, 整卷
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC1G07DBVT  单路缓冲器 / 驱动器, 非反相, 开漏输出, 1.65V至5.5V, SOT-23-5
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC1G07DRLR.  芯片, 非反相缓冲器, SOT-553-5
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC1G07DCKT  单路缓冲器 / 驱动器, 非反相, 开漏输出, 1.65V至5.5V, SC-70-5
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC1G07MDCKREP  芯片, 缓冲器/驱动器, 非反相, 1路输出, SC-70-5
TI(德州仪器)
单缓冲器/驱动器,具有漏极开路输出 SINGLE BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT
TI(德州仪器)
单缓冲器/驱动器,具有漏极开路输出 SINGLE BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT
TI(德州仪器)
单缓冲器/驱动器,具有漏极开路输出 SINGLE BUFFER/DRIVER WITH OPEN-DRAIN OUTPUT
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