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器件3D模型
¥ 0.045
SN74LVC1G08DBVR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
逻辑芯片
封装:
SOT-23-5
描述:
TEXAS INSTRUMENTS SN74LVC1G08DBVR. 芯片, 与门, SOT-23-5, 整卷
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
SN74LVC1G08DBVR 数据手册 (38 页)
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SN74LVC1G08DBVR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
电源电压
1.65V ~ 5.50V
封装
SOT-23-5
输出接口数
1 Output
输出电流
32 mA
电路数
1 Circuit
针脚数
5 Position
位数
1 Bit
传送延迟时间
4.00 ns
电压波节
5.00 V, 3.30 V, 2.50 V, 1.80 V
逻辑门数量
1 Gate
输出电流驱动
-1.00 mA
输入数
2 Input
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
1.65V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
1.65 V
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SN74LVC1G08DBVR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
1.6 mm
高度
1.3 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
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SN74LVC1G08DBVR 符合标准
SN74LVC1G08DBVR 概述
●
逻辑类型Logic Type| 与门 AND Gate \---|--- 电路数Number of Circuits| 1 输入数Number of Inputs| 2 电源电压VccVoltage - Supply| 1.65V~5.5V 静态电流IqCurrent - Quiescent (Max)| 10µA 输出高,低电平电流Current - Output High, Low| -32mA,32mA 低逻辑电平Logic Level - Low| 0.7 V ~ 0.8 V 高逻辑电平Logic Level - High| 1.7 V ~ 2 V 传播延迟时间@Vcc,CLMax Propagation Delay @ V, Max CL| 4nS @5v,50pF Description & Applications| SINGLE 2-INPUT POSITIVE-AND GATE ;• Available in the Texas Instruments NanoFree™ • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per Package JESD 78, Class II • Supports 5-V VCC Operation • Inputs Accept Voltages to 5.5 V • Max tpd of 3.6 ns at 3.3 V • Low Power Consumption, 10-μA Max ICC • ±24-mA Output Drive at 3.3 V • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation • ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2000-V Human-Body Model (A114-A) – 1000-V Charged-Device Model (C101) 描述与应用| 单路2输入正与门;•可在德州仪器NanoFree™•闭锁性能超过100 mA每 包装JESD 78,II类 •支持5-V VCC操作 •接受输入电压为5.5 V •最大TPD为3.6 ns在3.3 V •低功耗,10μA最大ICC •±24 mA输出驱动在3.3 V •IOFF支持部分掉电模式操作 •ESD保护超过JESD22 - 2000-V人体模型(A114-A) - 1000-V带电器件模型(C101)
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SN74LVC1G08DBVR 数据手册
SN74LVC1G08DBVR
数据手册
TI(德州仪器)
38 页 / 1.75 MByte
SN74LVC1G08DBVR
产品设计参考手册
TI(德州仪器)
21 页 / 5.57 MByte
SN74LVC1G08DBVR
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SN74LVC1G08
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TEXAS INSTRUMENTS SN74LVC1G08DBVR. 芯片, 与门, SOT-23-5, 整卷
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DRLR
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TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
SN74LVC1G08
YZPR
数据手册
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
SN74LVC1G08
QDBVRQ1
数据手册
TI(德州仪器)
与门, 74LVC1G08, 2输入, 32mA, 1.65V至5.5V, SOT-23-5
SN74LVC1G08
DBVRG4
数据手册
TI(德州仪器)
单路2输入正与门 SINGLE 2-INPUT POSITIVE-AND GATE
SN74LVC1G08
DBVT
数据手册
TI(德州仪器)
2输入与门
SN74LVC1G08
QDCKRQ1
数据手册
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
SN74LVC1G08
32DBVR
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TI(德州仪器)
单3输入正与或门 SINGLE 3-INPUT POSITIVE AND-OR GATE
SN74LVC1G08
DCKT
数据手册
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
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