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SPA07N60C3
2.031
SPA07N60C3 数据手册 (15 页)
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SPA07N60C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
7.30 A
封装
TO-220-3
额定功率
32 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.54 Ω
极性
N-Channel
功耗
32 W
阈值电压
3 V
输入电容
790 pF
栅电荷
27.0 nC
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
7.30 A
上升时间
3.5 ns
输入电容值(Ciss)
790pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
32 W
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
32W (Tc)

SPA07N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.65 mm
宽度
4.85 mm
高度
9.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SPA07N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.6 MByte
Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.6 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.15 MByte

SPA07N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPA07N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPA07N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPA07N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 650 V, 0.59 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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