￥ 3.773

SPA20N65C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPA20N65C3 数据手册 (15 页)

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SPA20N65C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

650 V

额定电流

20.7 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

极性

N-Channel

功耗

34.5 W

输入电容

2.40 nF

栅电荷

114 nC

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

20.7 A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

34.5 W

下降时间

4.5 ns

耗散功率(Max)

34.5W (Tc)

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SPA20N65C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.65 mm

宽度

4.85 mm

高度

16.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SPA20N65C3 符合标准

SPA20N65C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 0.59 MByte

SPA20N65C3 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SPA20N65C3 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

72 页 / 2.03 MByte

SPA20N65C3 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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