￥ 0.193

SPB03N60C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON SPB03N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPB03N60C3 数据手册 (13 页)

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SPB03N60C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

650 V

额定电流

3.20 A

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.26 Ω

极性

N-Channel

功耗

38 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

3.20 A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

38 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

38000 mW

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SPB03N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SPB03N60C3 符合标准

SPB03N60C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 0.49 MByte

SPB03N60C3 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

34 页 / 1.54 MByte

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