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IPB107N20N3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

INFINEON IPB107N20N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB107N20N3 G 数据手册 (12 页)

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IPB107N20N3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0096 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

上升时间

26 ns

输入电容值(Ciss)

5340pF @100V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IPB107N20N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPB107N20N3 G 符合标准

IPB107N20N3 G 海关信息

IPB107N20N3 G 概述

IPB107N20N3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.61 MByte

IPB107N20N3 G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB107N20N3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPB107N20N3 G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB107N20N3 数据手册

Infineon（英飞凌）

IPB107N20N3GATMA1 数据手册

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INFINEON IPB107N20N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V

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IPB107N20N3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

200V,88A,N沟道功率MOSFET

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