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SPB20N60C3XT
2.26
SPB20N60C3XT 数据手册 (13 页)
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SPB20N60C3XT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
650 V
额定电流
20.7 A
封装
D2PAK
极性
N-CH
输入电容
4.50 nF
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
20.7 A
上升时间
5.00 ns

SPB20N60C3XT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape

SPB20N60C3XT 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 1.03 MByte

SPB20N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPB20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPB20N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
酷MOS功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS Power Transistor Feature new revolutionary high voltage technology
Infineon(英飞凌)
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