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SPD09P06PL G
0.425
SPD09P06PL G 数据手册 (9 页)
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SPD09P06PL G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.2 Ω
极性
P-Channel
功耗
42 W
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
168 ns
输入电容值(Ciss)
450pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
42 W
下降时间
89 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
42W (Tc)

SPD09P06PL G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

SPD09P06PL G 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.56 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

SPD09P06 数据手册

Infineon(英飞凌)
60V,-9.7A,250mΩ,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPD09P06PL G  晶体管, MOSFET, P沟道, -9.7 A, -60 V, 0.2 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
60V,-9.7A,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
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