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FGH50N6S2D
8.708
FGH50N6S2D 数据手册 (4 页)
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FGH50N6S2D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
75.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
463 W
上升时间
15 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
55 ns
额定功率(Max)
463 W
下降时间
50 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
463000 mW

FGH50N6S2D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
高度
20.82 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FGH50N6S2D 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.1 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 2.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.44 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

FGH50N6S2 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
600V ,开关电源II系列N沟道IGBT 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH50N6S2D  单晶体管, IGBT, 75 A, 2.7 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 75 A, 2.7 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
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