SPD18P06P

￥ 7.243

SPD18P06P 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON SPD18P06P 晶体管, MOSFET, P沟道, 18.6 A, -60 V, 130 mohm, -10 V, 20 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPD18P06P 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

SPD18P06P 数据手册 (10 页)

5

6

或点击图片查看大图

SPD18P06P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-18.6 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

130 mΩ

极性

P-CH

功耗

80 W

阈值电压

20 V

输入电容

860 pF

栅电荷

33.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

18.6 A

上升时间

5.8 ns

输入电容值(Ciss)

860pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

80 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

80000 mW

查看数据手册 >

SPD18P06P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

SPD18P06P 符合标准

SPD18P06P 概述

SPD18P06P 数据手册

SPD18P06P 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.51 MByte

SPD18P06P 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.03 MByte

SPD18P06 数据手册

SPD18P06P G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPD18P06P G 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V

SPD18P06PGBTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPD18P06PGBTMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V

SPD18P06P 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPD18P06P 晶体管, MOSFET, P沟道, 18.6 A, -60 V, 130 mohm, -10 V, 20 V

SPD18P06PG 数据手册

Infineon（英飞凌）

60V,-18.6A,P沟道功率MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

最新型号

STM32F411RET6 TL062CP AD7793BRUZ STM32F401CEU6 LM75BD UC3845AN MAX3232CDR NCP3170ADR2G SN74LVC1T45DRLR

更多热门型号文档

BOM选型工具

智能匹配型号

推荐替代方案

预警生产风险

计算采购成本

上传BOM文件

文件格式：*.xlsx，*.xls，*csv

Gerber文件查看器

15秒快速建模

预览PCB成品

支持40种板层

预检生产问题

上传Gerber文件

支持标准RS-274X文件，接受zip、rar、7z