￥ 1.508

SPI08N80C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3-1

描述:

INFINEON SPI08N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPI08N80C3 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

SPI08N80C3 数据手册 (10 页)

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SPI08N80C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-262-3-1

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.56 Ω

极性

N-Channel

功耗

104 W

阈值电压

3 V

输入电容

1.10 nF

栅电荷

52.0 nC

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

8.00 A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

1100pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

104 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

104W (Tc)

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SPI08N80C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10.2 mm

宽度

4.5 mm

高度

9.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SPI08N80C3 符合标准

SPI08N80C3 概述